Integrated structure of n-channel device and p-channel device, and cmos inverter

WO2025232204 Art A1 13. November 2025

Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY, CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025232204
Aktenzeichen: EP24940541
Anmeldetag: 16. Dezember 2024
Veröffentlichung: 13. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D84/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOUTHEAST UNIVERSITY
CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

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🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von