Method of forming resistive random access memory (rram) cells

WO2025235020 Art A1 13. November 2025

Anmelder: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025235020
Aktenzeichen: EP24768431
Anmeldetag: 15. August 2024
Veröffentlichung: 13. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N70/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

360 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von