Method of equalizing gate heights in embedded non-volatile memory on hkmg technology
WO2025235053
Art A1
13. November 2025
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025235053
- Aktenzeichen
- EP25810196
- Anmeldetag
- 14. Februar 2025
- Veröffentlichung
- 13. November 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01B/
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INFINEON TECHNOLOGIES LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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