Preparation method for stacked transistor, stacked transistor, and semiconductor device

WO2025236412 Art A1 20. November 2025

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025236412
Aktenzeichen
EP24938427
Anmeldetag
23. Juli 2024
Veröffentlichung
20. November 2025
Rechtsraum
WO
IPC
H10D30/62
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
PEKING UNIVERSITY
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Peking University

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