Preparation method for stacked transistor, stacked transistor, and semiconductor device
WO2025236412
Art A1
20. November 2025
Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025236412
- Aktenzeichen
- EP24938427
- Anmeldetag
- 23. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 20. November 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D30/62
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- PEKING UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Peking University
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