Capacitor-less dynamic random access memory and manufacturing method therefor

WO2025236929 Art A1 20. November 2025

Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025236929
Aktenzeichen: EP25802540
Anmeldetag: 9. April 2025
Veröffentlichung: 20. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TSINGHUA UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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