Exhaust arraratus, silicon single-crystal production apparatus, exhaust method, and method for producing silicon single crystals
WO2025239056
Art A1
20. November 2025
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025239056
- Aktenzeichen
- EP25803307
- Anmeldetag
- 7. April 2025
- Veröffentlichung
- 20. November 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.180 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.