Nitride semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2025239103 Art A1 20. November 2025

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025239103
Aktenzeichen: EP25803354
Anmeldetag: 16. April 2025
Veröffentlichung: 20. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/47H03H3/02H03H9/17H03H9/25H10D30/83H10D30/87H10N30/30H10N30/853

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von