Memory device including contoured drain-select-level isolation structures and methods for forming the same

WO2025239939 Art A1 20. November 2025

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025239939
Aktenzeichen: EP25803734
Anmeldetag: 10. Januar 2025
Veröffentlichung: 20. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B43/27H10B43/30G11C5/02G11C5/06H01L23/528H10B41/10H10B41/27H10B41/30H10B43/10G11C8/14H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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