Surface treatment method for semiconductor substrate, liquid composition, and method for producing semiconductor substrate

WO2025243917 Art A1 27. November 2025

Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025243917
Aktenzeichen: EP25807647
Anmeldetag: 15. Mai 2025
Veröffentlichung: 27. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Gas Chemical Company

Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.

1.434 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von