A design strategy for high-performance p-type two-dimensional field effect transistors

WO2025244715 Art A1 27. November 2025

Anmelder: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025244715
Aktenzeichen: EP25808471
Anmeldetag: 5. März 2025
Veröffentlichung: 27. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/47H10D30/01H10D62/80

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Penn State Research Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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