Durable backside layer of a semiconductor substrate

WO2025244797 Art A1 27. November 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025244797
Aktenzeichen: EP25808370
Anmeldetag: 29. April 2025
Veröffentlichung: 27. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455C23C16/30C23C16/34C23C16/40C23C16/52C23C16/458

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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