Deep Trench Capacitor (dtc) Pad On Solder Resist (sr) Layer
WO2025244819
Art A1
27. November 2025
Anmelder: QUALCOMM INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025244819
- Aktenzeichen
- EP25728630
- Anmeldetag
- 2. Mai 2025
- Veröffentlichung
- 27. November 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01G2/06H01L23/64H01L25/00H10D1/60H01L23/00H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- QUALCOMM INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Qualcomm
US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in San Diego. Qualcomm entwickelt Chipsätze und drahtlose Kommunikationstechnologien für Mobiltelefone, Netzwerke, Automobile und vernetzte Geräte.
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