Ferroelectric semiconductor devices and methods of fabricating thereof
WO2025245088
Art A1
27. November 2025
Anmelder: YALE UNIVERSITY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025245088
- Aktenzeichen
- EP25808202
- Anmeldetag
- 20. Mai 2025
- Veröffentlichung
- 27. November 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/16C30B23/02H10D84/03H01L21/02H01L23/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YALE UNIVERSITY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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Vertreten von
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