Cmos-process compatible, tunable negative differential resistance (ndr) ferroelectric fet and method of operating the same
WO2025245394
Art A1
27. November 2025
Anmelder: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025245394
- Aktenzeichen
- EP25808560
- Anmeldetag
- 22. Mai 2025
- Veröffentlichung
- 27. November 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/22H10D64/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
University of California
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