Memory cells using negative differential resistance ferroelectric field effect transistors

WO2025245395 Art A1 27. November 2025

Anmelder: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025245395
Aktenzeichen: EP25808561
Anmeldetag: 22. Mai 2025
Veröffentlichung: 27. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/60H10D30/68H10D84/83H10B51/30H10B53/30H10D84/80H10D84/82H10B51/10H10B53/10

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Abstract

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Anmelder

Firma: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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