Method for manufacturing a substrate comprising an electric charge trapping layer

WO2025247686 Art A1 4. Dezember 2025

Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES, SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025247686
Aktenzeichen: EP25725262
Anmeldetag: 20. Mai 2025
Veröffentlichung: 4. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES
SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.

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🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von