Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2025248863 Art A1 4. Dezember 2025

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025248863
Aktenzeichen: EP25815029
Anmeldetag: 7. Februar 2025
Veröffentlichung: 4. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D84/80H10D8/50H10D30/01H10D30/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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