Semiconductor device, temperature compensation method for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

WO2025249019 Art A1 4. Dezember 2025

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025249019
Aktenzeichen: EP25814856
Anmeldetag: 18. April 2025
Veröffentlichung: 4. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H03H9/17H03H9/02H03H9/25H10N30/30H10N30/853

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von