Memory device including self-aligned dielectric base below word line contact via structure and method for forming the same

WO2025250188 Art A1 4. Dezember 2025

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025250188
Aktenzeichen: EP25816553
Anmeldetag: 8. Januar 2025
Veröffentlichung: 4. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B41/20H10B41/27H10B41/35H10B41/41H10B43/20H10B43/27H10B43/35H10B41/10H10B41/23H10B41/30H10B41/40H10B43/10H10B43/23H10B43/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von