Passivation for selective etching semiconductor materials
WO2025250472
Art A1
4. Dezember 2025
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025250472
- Aktenzeichen
- EP25816375
- Anmeldetag
- 23. Mai 2025
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065H01L21/67
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.