Reacting radical species with undeposited film precursor

WO2025250598 Art A1 4. Dezember 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025250598
Aktenzeichen: EP25816329
Anmeldetag: 28. Mai 2025
Veröffentlichung: 4. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/50C23C16/26C23C16/44C23C16/52C23C16/455H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von