Semiconductor devices and methods for forming the same
WO2025251205
Art A1
11. Dezember 2025
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025251205
- Aktenzeichen
- EP24737301
- Anmeldetag
- 5. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10B43/10H10B43/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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