Two-dimensional semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2025252253 Art A1 11. Dezember 2025

Anmelder: NANJING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025252253
Aktenzeichen: EP25819300
Anmeldetag: 11. Juni 2025
Veröffentlichung: 11. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/60H10D62/80

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NANJING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Nanjing University

Nanjing University ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und medizinischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf anorganische Chemie und Werkstoffe, Medizintechnik, Software sowie Verfahrens- und Messtechnik. Anmeldungen reichen von 2003 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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