Schottky electron source, method for producing schottky electron source, and electron beam device
WO2025253467
Art A1
11. Dezember 2025
Anmelder: HITACHI HIGH-TECH CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025253467
- Aktenzeichen
- EP24942559
- Anmeldetag
- 4. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J37/073H01J1/304H01J9/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HITACHI HIGH-TECH CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi High-Tech Corporation
Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.
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