Semiconductor device, and manufacturing method for same

WO2025253838 Art A1 11. Dezember 2025

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025253838
Aktenzeichen: EP25819599
Anmeldetag: 8. Mai 2025
Veröffentlichung: 11. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/18H01L23/36H01L23/48H01L25/07

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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