Vertical Bank Redundancy in Three-Dimensional Stacked Dynamic Random-Access Memory (dram) For Improved Yield

WO2025254727 Art A1 11. Dezember 2025

Anmelder: QUALCOMM INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025254727
Aktenzeichen: EP25722735
Anmeldetag: 8. April 2025
Veröffentlichung: 11. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/00G11C5/02G11C7/10G11C8/12H01L25/065H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: QUALCOMM INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Qualcomm

US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in San Diego. Qualcomm entwickelt Chipsätze und drahtlose Kommunikationstechnologien für Mobiltelefone, Netzwerke, Automobile und vernetzte Geräte.

20.973 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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