Systems and methods for creating an iedf using a non-sinusoidal generator
WO2025255272
Art A1
11. Dezember 2025
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025255272
- Aktenzeichen
- EP25820553
- Anmeldetag
- 4. Juni 2025
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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