Method for forming high density carbon films with reduced substrate backside damage

WO2025255316 Art A1 11. Dezember 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025255316
Aktenzeichen: EP25820583
Anmeldetag: 5. Juni 2025
Veröffentlichung: 11. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C23C16/26C23C16/509C23C16/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von