Mott Conduction in Doped Iii-Nitride Semiconductors

WO2025255569 Art A1 11. Dezember 2025

Anmelder: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025255569
Aktenzeichen: EP25820718
Anmeldetag: 9. Juni 2025
Veröffentlichung: 11. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D62/854C30B25/18H01L21/02H10D62/85

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Regents of the University of Michigan

Leitungsgremium der University of Michigan in den USA, das als Patentanmelder für Erfindungen aus der universitären Forschung auftritt. Schwerpunkte sind Medizintechnik, Ingenieurwissenschaften und Life Sciences.

2.541 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von