Etching method, production method for semiconductor device, etching apparatus, and etching gas composition
WO2025258395
Art A1
18. Dezember 2025
Anmelder: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025258395
- Aktenzeichen
- EP25821743
- Anmeldetag
- 28. Mai 2025
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Central Glass
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.
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