Polycrystalline silicon substrate and method for manufacturing same

WO2025258553 Art A1 18. Dezember 2025

Anmelder: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025258553
Aktenzeichen: EP25821899
Anmeldetag: 9. Juni 2025
Veröffentlichung: 18. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304B24B1/00B24B37/00H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.978 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von