Method for producing a composite structure including a stack of layers made of single-crystal iii-v materials

WO2025261726 Art A1 26. Dezember 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025261726
Aktenzeichen: EP25728373
Anmeldetag: 26. Mai 2025
Veröffentlichung: 26. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10P10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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