Semiconductor device and method for driving gate of semiconductor device
WO2025263032
Art A1
26. Dezember 2025
Anmelder: HITACHI, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025263032
- Aktenzeichen
- EP25830161
- Anmeldetag
- 11. März 2025
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03K17/00H02M1/08H03K17/687
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HITACHI, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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