Method for producing single-crystal beta-digallium trioxide, method for producing single-crystal beta-digallium trioxide substrate, and single-crystal beta-digallium trioxide substrate
WO2025263085
Art A1
26. Dezember 2025
Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025263085
- Aktenzeichen
- EP25830212
- Anmeldetag
- 11. April 2025
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/16C30B11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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