Method for manufacturing semiconductor substrate and film-forming composition

WO2025263501 Art A1 26. Dezember 2025

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025263501
Aktenzeichen
EP25830620
Anmeldetag
17. Juni 2025
Veröffentlichung
26. Dezember 2025
Rechtsraum
WO
IPC
G03F7/11C08G79/00C09D1/00G03F7/09H10P52/00H10P50/20H05K3/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
JSR CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

2.270 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen