Method for manufacturing semiconductor substrate and film-forming composition
WO2025263501
Art A1
26. Dezember 2025
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025263501
- Aktenzeichen
- EP25830620
- Anmeldetag
- 17. Juni 2025
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11C08G79/00C09D1/00G03F7/09H10P52/00H10P50/20H05K3/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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