Reactive ion beam etch to reduce line-space pattern line width roughness and photoresist loss

WO2025265089 Art A1 26. Dezember 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025265089
Aktenzeichen: EP25831640
Anmeldetag: 20. Juni 2025
Veröffentlichung: 26. Dezember 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/40G03F7/004G03F7/36H10P76/00H01J37/305

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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