Three-dimensional semiconductor devices and manufacturing methods thereof
WO2026001752
Art A1
2. Januar 2026
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES HOLDING CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026001752
- Aktenzeichen
- EP25735053
- Anmeldetag
- 17. Juni 2025
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES HOLDING CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.