Method for metallization of ultra-high aspect ratio through silicon via in three-dimensional integrated circuit
WO2026001952
Art A1
2. Januar 2026
Anmelder: XIAMEN UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026001952
- Aktenzeichen
- EP25826016
- Anmeldetag
- 24. Juni 2025
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- XIAMEN UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Xiamen University
Die Xiamen University ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Pharma beziehungsweise Biotechnologie, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Kunststofftechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis in die Gegenwart.
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