Method for manufacturing semiconductor substrate, composition for forming resist underlayer film, and method for producing nitrogen-containing compound

WO2026004498 Art A1 2. Januar 2026

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026004498
Aktenzeichen: EP25825543
Anmeldetag: 3. Juni 2025
Veröffentlichung: 2. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C07D209/48C07D209/76C07D403/14C07D487/08C07D487/10C07D491/08G03F7/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik Organische Chemie

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