Film formation method and film formation device

WO2026004517 Art A1 2. Januar 2026

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026004517
Aktenzeichen: EP25825562
Anmeldetag: 4. Juni 2025
Veröffentlichung: 2. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455C23C16/08H10P14/60H10P14/42H10P14/692H10P14/694H10B43/27

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von