Dry etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device
WO2026004574
Art A1
2. Januar 2026
Anmelder: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026004574
- Aktenzeichen
- EP25825431
- Anmeldetag
- 10. Juni 2025
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Central Glass
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.
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