?-ga2o3 single crystal substrate, ?-ga2o3 single-crystal ingot, melt supply member, ?-ga2o3 single crystal substrate production method, and ?-ga2o3 single-crystal ingot production method
WO2026004800
Art A1
2. Januar 2026
Anmelder: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026004800
- Aktenzeichen
- EP25825126
- Anmeldetag
- 23. Juni 2025
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/16C30B15/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Central Glass
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.
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