Composition for semiconductor photoresist, and pattern formation method using same
WO2026005162
Art A1
2. Januar 2026
Anmelder: SAMSUNG SDI CO., LTD. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026005162
- Aktenzeichen
- EP24944899
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/004H10P76/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SAMSUNG SDI CO., LTD.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung SDI
Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.
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Vertreten von
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