Layer transfer preparation of a semiconductor article by laser-induced defect generation

WO2026005781 Art A1 2. Januar 2026

Anmelder: GOOGLE LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026005781
Aktenzeichen: EP24743218
Anmeldetag: 27. Juni 2024
Veröffentlichung: 2. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10H20/01H10P54/00H10P10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Firma: GOOGLE LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Google

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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