Low Temperature Doped Polysi Backside Deposition Film For Enhanced Chucking/dechucking in Semiconductor Processing
WO2026006421
Art A1
2. Januar 2026
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026006421
- Aktenzeichen
- EP25827451
- Anmeldetag
- 25. Juni 2025
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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