Memory device and method of forming the same
WO2026006971
Art A1
8. Januar 2026
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026006971
- Aktenzeichen
- EP24743688
- Anmeldetag
- 2. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 8. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10B43/27H10B41/27H10B43/50H10B41/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
Vertreten von
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