Stacked transistor and manufacturing method therefor, semiconductor device, and electronic device

WO2026007363 Art A1 8. Januar 2026

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026007363
Aktenzeichen: EP24946229
Anmeldetag: 26. Dezember 2024
Veröffentlichung: 8. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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