Diode device based on single carbon nanotube structure, and manufacturing method therefor

WO2026007848 Art A1 8. Januar 2026

Anmelder: SHENZHEN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026007848
Aktenzeichen: EP25832348
Anmeldetag: 27. Juni 2025
Veröffentlichung: 8. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10K10/23B82Y10/00H10K10/26H10K85/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHENZHEN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen University

Shenzhen University ist eine staatliche Universität in Shenzhen, China, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Elektrotechnik, Materialwissenschaft und Optik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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