Method for fabricating semiconductor device

WO2026009119 Art A1 8. Januar 2026

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026009119
Aktenzeichen: EP25832553
Anmeldetag: 30. Juni 2025
Veröffentlichung: 8. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/01H10B12/00H10B41/70H10B53/30H10B99/00H10D30/67H10D84/80H10D84/83H10D86/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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