Substrate for group iii nitride epitaxial growth, method for manufacturing same, and epitaxial film manufacturing method and semiconductor device manufacturing method each using same

WO2026009808 Art A1 8. Januar 2026

Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026009808
Aktenzeichen: EP25832886
Anmeldetag: 26. Juni 2025
Veröffentlichung: 8. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/18C23C14/06C23C16/34H10P14/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von